收藏本站
US5U2
Transistors
4V Drive Nch+SBD MOSFET
US5U2
Structure
Silicon N-channel MOSFET /
Schottky barrier diode
Dimensions (Unit : mm)
TUMT5
2.0
1.3
Features
1) Nch MOSFET and schottky barrier diode
are put in TUMT5 package.
2) High-speed switching, Low On-resistance.
3) 4V drive.
4) Built-in Low V F schottky barrier diode.
Applications
Switching
Packaging specifications
Inner circuit
Abbreviated symbol : U02
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(5)
(4)
US5U2
? 2
? 1
(1)Gate
(2)Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
(1) (2)
? 1 ESD protection diode
? 2 Body diode
(3)
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
20
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 1.4
± 5.6
0.6
5.6
A
A
A
A
Power dissipation
Channel temperature
P D
Tch
? 2
0.7
150
W / ELEMENT
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Rev.B
1/4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
US5U30TR MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
US5U35TR MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
US5U38TR MOSFET P-CH 20V 1.0A TUMT5
US5U3TR MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
US6J11TR MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
US6K2TR MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
US6K4TR MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6
US6M11TR MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6
相关代理商/技术参数
US5U3 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+SBD MOSFET
US5U3_07 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+SBD MOSFET
US5U3_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+SBD MOSFET
US5U30 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOSFET
US5U30_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOSFET
US5U30TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
US5U35 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+SBD MOSFET
US5U35TR 功能描述:MOSFET P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube